ПРОЦЕС СУШІННЯ ТОНКОДИСПЕРСНОЇ ПАСТИ ДІОКСИДУ ТИТАНУ

АНОТАЦІЯ

Завантажити презентацію: презентація

Ключові слова: сушіння, псевдозрідження, діоксид титану, подрібнення, вихрові потоки, теплоносій, вологовміст.

Гробовенко Я. В. Процес сушіння тонкодисперсної пасти діоксиду титану. – На правах рукопису.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.17.08 – процеси та обладнання хімічної технології. – Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», МОН України, Київ, 2019.

Дисертаційна робота спрямована на вирішення важливого науково-технічного завдання – підвищення ефективності процесу сушіння тонкодисперсної пасти діоксиду титану у вихровому потоці теплоносія із застосуванням псевдозрідження та безперервного подрібнення матеріалу.

Науково-технічна ідея роботи

Теоретично обґрунтовано та експериментально доведено, що застосування активного гідродинамічного режиму вихрових потоків теплоносія в поєднанні із безперервним подрібненням матеріалу суттєво підвищує інтенсивність тепломасообмінних процесів при збереженні стійкої кінетики процесу сушіння пасти діоксиду титану.

Схема сушильного апарату

Обґрунтовано та експериментально підтверджено спосіб поєднання процесів сушіння і подрібнення пасти TiO2 та досушування тонкодисперсних частинок діоксиду титану в одному сушильному апараті вихрового типу. Отримано кінетичні закономірності та основні параметри процесу сушіння пасти діоксиду титану, необхідні для проектування промислових сушильних установок. Визначено конструктивно-технологічні параметри сушильної конусоподібної камери, що забезпечують умови утворення вихрових потоків теплоносія і сепарації частинок матеріалу TiO2. Сформульовано фізичну модель сепарації тонкодисперсних частинок TiO2 у вихровому потоці теплоносія, що утворюється в розробленому сушильному апараті. Запропоновано методику розрахунку промислового сушильного апарату вихрового типу.

Загальна схема сушильної установки

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *